進(jìn)一步進(jìn)步軸承感應(yīng)加熱溫度或延長(zhǎng)保溫時(shí)光，大年夜晶粒將持續(xù)長(zhǎng)大年夜這就是無數(shù)個(gè)小品粒被兼并和大年夜晶粒長(zhǎng)大年夜的綜合成果。這種長(zhǎng)大年夜過程又稱為奧氏體的長(zhǎng)大年夜再結(jié)晶。

　　軸承感應(yīng)加熱中奧氏體品粒長(zhǎng)大年夜的動(dòng)力是其晶粒尺寸的不平均性。而與品粒尺寸成反比、晶粒長(zhǎng)大年夜的驅(qū)動(dòng)力與界面能成反比。

　　幻想狀況下的晶界。處于這種狀況下的軸承感應(yīng)加熱奧氏體晶粒不易長(zhǎng)大年夜。但實(shí)際上奧氏體晶粒的大年夜小是不平均的。直徑小于平均直徑的晶粒，其鄰接晶粒數(shù)一般小于6；直徑大年夜于平均直徑的品粒，其鄰接晶粒數(shù)一般大年夜于6、為了保持界面張力平街。

    在必定溫度前提下，因?yàn)檩S承感應(yīng)加熱界面張力均衡感化，凡鄰接晶粒數(shù)小于6的晶粒的晶界都將曲折成正曲率弧，使界面面積增大年夜，界面能升高?；孟霠顩r下的晶界。

　　為了減小軸承感應(yīng)加熱晶界面積以降低界面能，晶界有由曲線變成直線的自發(fā)趨勢(shì)，是以將導(dǎo)致該晶粒縮小，直至消掉。鄰接晶粒數(shù)大年夜于6的晶粒的界面也因晶界張力均衡而曲折成負(fù)曲率弧，同樣為減小界面面積，降低界面能，該晶粒將長(zhǎng)大年夜，從而兼并小品粒。

　　總之，界面能越大年夜、晶粒尺寸越小，軸承感應(yīng)加熱奧氏體晶粒長(zhǎng)大年夜的驅(qū)動(dòng)力就會(huì)越大年夜，即晶粒的長(zhǎng)大年夜偏向越大年夜，品界易于遷徙。